濺射靶材作為沉積電子薄膜的核心原材料，在平板顯示、半導體、太陽能電池和記錄媒體等戰略性新興產業中不可或缺。其質量直接決定薄膜性能，對下游產業的技術升級和成本控制具有關鍵影響。全球市場長期被日美企業壟斷，我國通過政策引導、技術攻關和資本支持，逐步實現了濺射靶材的國產化突破，但在高端領域仍存在差距。
凱澤金屬基于5篇相關研究文獻，系統梳理濺射靶材的行業現狀、分類及應用、制備技術、質量影響因素及發展挑戰。通過整合核心數據與技術細節，分析不同類型靶材的制備工藝特點，探討質量控制要點及產業發展瓶頸，為行業技術創新和產業化應用提供全面參考。
本文將從行業發展概況出發，依次闡述靶材分類及應用場景、主流制備技術（含新興工藝）、質量對鍍膜生產的影響，最后總結發展挑戰與對策建議，旨在為濺射靶材領域的研究與生產實踐提供系統性指導。
一、濺射靶材行業發展概況
（一）全球市場格局與技術壟斷
濺射靶材作為高技術壁壘領域，全球市場長期由日美企業主導。2021年全球靶材市場規模約213億美元，美國普萊克斯、霍尼韋爾，日本JX金屬、東曹等巨頭占據約80%的市場份額[1]。這些企業通過垂直整合產業鏈、控制核心技術和專利，形成對高端市場的絕對話語權，尤其在半導體和平板顯示用靶材領域，對我國實施嚴格的技術封鎖和供應限制。
我國靶材市場規模增長迅速，從2016年的177億元增至2020年的337億元，年均增長率17%，全球市場份額從2014年的10%提升至2019年的19%[1]。但市場結構呈現“低端飽和、高端依賴”特征：太陽能電池領域靶材已實現國產化自主可控，平板顯示領域國產化率超50%，而半導體領域尤其是28nm以下制程用靶材仍高度依賴進口[1]。
（二）我國國產化突破路徑
政策與科技協同支持
國家通過多項政策推動靶材產業發展：2013年將高純靶材列為鼓勵類項目，2015年調整進口免稅政策倒逼國產化，2016年《新材料發展指南》明確高純濺射靶材研發重點[1]。地方政府如廣東、安徽、河北等同步出臺產業規劃，形成“材料-面板-整機”產業鏈布局[1]。科技專項方面，“863計劃”“02專項”等持續支持關鍵技術攻關，加速成果轉化。
企業技術突破與市場準入
我國已培育江豐電子、有研新材、阿石創、隆華科技、凱澤金屬等創新引領者，產品進入臺積電、中芯國際、京東方等國內外知名廠商供應鏈[1]。其中，江豐電子突破5nm技術節點靶材樣品驗證，有研新材構建從高純原料到靶材的垂直一體化平臺，阿石創實現ITO靶材工程化應用[1]。
產業鏈協同創新
企業通過產學研合作攻克技術瓶頸：江豐電子聯合高校開發高純鋁鈦原料，阿石創與院士團隊合作研發平板顯示用靶材，隆華科技布局無銦靶材和鈣鈦礦電池用靶材[1]。同時，國內設備廠商如北方華創、沈陽拓荊與靶材企業聯合開發生產設備，逐步擺脫對進口設備的依賴[1]。
二、濺射靶材分類及應用場景
（一）按材質分類及典型應用
金屬及合金靶材
難熔金屬靶材：鎢（W）、鉬（Mo）、鉭（Ta）、鈮（Nb）等，具有高熔點、抗腐蝕和高溫穩定性，主要應用于集成電路阻擋層、太陽能電池背電極等。例如，Mo靶作為CIGS薄膜太陽能電池背電極，需具備低電阻率（<8.9×10??Ω?cm）和高致密度（>98%）[4]；Ta靶作為Cu互連阻擋層，純度需達99.95%以上[4]。
常規金屬靶材：鋁（Al）、銅（Cu）、鈦（Ti）等，用于半導體布線和顯示面板電極。Al靶純度要求99.999%以上，Cu靶需控制氧含量<50ppm以避免薄膜氧化[5]。
氧化物靶材
以ITO（銦錫氧化物）、AZO（鋁摻雜氧化鋅）、IGZO（銦鎵鋅氧化物）為主，廣泛應用于顯示面板透明電極、半導體溝道層。例如，IGZO靶材濺射薄膜的可見光透射率需>85%，電阻率<1×10?3Ω?cm[3]；ITO靶材致密度需>99%以減少濺射異常放電[3]。
復合靶材
包括金屬-陶瓷復合、多元合金靶材，用于功能性薄膜制備。如W-Ti合金靶（Ti占10%-30%）作為集成電路阻擋層，可有效阻止Cu擴散[4]；Si-Al靶用于光伏薄膜摻雜，需控制Al分布均勻性以避免膜層缺陷[5]。
（二）按形狀分類及使用特性
平面靶：分為矩形和圓形，適用于中小面積鍍膜，如半導體芯片。但濺射過程中形成環形“跑道”，利用率僅35%左右[5]。通過加厚跑道區域或拼接設計可提高利用率，拼接縫隙需控制在0.5mm左右以防漏氣[5]。
旋轉靶：呈管狀或“狗骨狀”，適用于大面積鍍膜（如建筑玻璃、顯示面板）。旋轉靶通過360°均勻刻蝕，利用率可達80%以上[5]。例如，鋅鋁旋轉靶用于Low-E玻璃鍍膜，長度可達3-4m，直徑>1m[2]。
三、濺射靶材制備技術及創新進展
（一）傳統制備技術及特點
粉末冶金法
適用于高熔點材料（如W、Mo）和陶瓷靶材，流程為：粉末混合→壓制成型→燒結→加工。
熱壓燒結：在高溫（1000-1500℃）和單向壓力（10-30MPa）下致密化，可制備致密度>95%的靶材，但易導致晶粒取向不均[3]。
熱等靜壓（HIP）：在高溫高壓（100-200MPa）下均勻加壓，致密度可達99.5%以上，如Ta靶經HIP處理后晶粒尺寸<100μm[4]。
常壓燒結：成本低且適合大尺寸靶材，如東曹公司采用注漿成型+常壓燒結制備2200mm×2500mmITO靶材，致密度>99.5%[3]。
熔煉鑄造法
適用于低熔點合金靶材（如Al、Cu），通過真空感應熔煉或電子束熔煉實現高純凈化。優勢是純度高（可達99.999%）、致密度接近理論值，但易產生晶粒粗大（>100μm）和成分偏析[2]。例如，電子束熔煉的Nb靶純度達99.99%，但需后續鍛造細化晶粒至75.5μm[4]。
（二）新興制備技術及優勢
冷噴涂技術
基于高速固態粒子沉積原理，以N?或He為加速氣體（速度300-1200m/s），在低溫（<600℃）下使粉末顆粒塑性變形結合[2]。
技術優勢：致密度>98%、氧含量<500ppm，無晶粒長大和相變，適合制備大尺寸一體化靶材（如3m長Mo管靶）[2]。
應用案例：冷噴涂制備的FeCoNiCrMn高熵合金靶材，在700℃、He氣氛下沉積效率達99%，涂層力學性能優于傳統工藝[2]。
局限性：脆性材料（如陶瓷）難以沉積，氦氣成本高，設備投資大[2]。
兩步燒結技術
用于氧化物靶材致密化，先快速升溫至1450℃，再降至1350℃保溫12h，可獲得致密度99.5%、晶粒尺寸5.81μm的IGZO靶材，濺射薄膜電阻率<9×10?3Ω?cm[3]。
四、靶材質量對鍍膜生產的影響因素
（一）關鍵質量參數及控制標準
純度
半導體靶材需控制40種以上雜質，總含量<50ppm（如Ta靶純度99.95%）[4]；
氧化物靶材中雜質（如Fe、Ni）會導致薄膜光吸收增加，需<10ppm[3]。
影響：雜質會形成薄膜缺陷，如Cu靶中S含量>18ppm時，濺射放電次數增加30%[5]。
致密度
金屬靶材致密度需>98%，陶瓷靶材>95%，否則易產生氣孔放電和顆粒脫落[5]。
案例：致密度<90%的Si-Al靶在濺射時掉渣率增加50%，導致鍍膜針孔缺陷超標[5]。
微觀組織
晶粒尺寸：均勻細小（<50μm）可提高濺射速率，如Mo靶晶粒從100μm細化至50μm時，沉積速率提升20%[4]。
結晶取向：控制靶材{111}織構比例>70%，可使IGZO薄膜厚度偏差從10%降至5%[3]。
（二）靶材制備與鍍膜匹配性
綁定質量
靶材與銅背板（或不銹鋼襯管）的綁定需保證結合率>90%，否則會因散熱不良導致局部過熱開裂。例如，AZO靶綁定不良時，濺射功率下降30%，靶材壽命縮短50%[5]。
形狀設計
平面靶拼接縫隙>0.5mm時，真空抽氣時間增加2倍，易導致膜層均勻性變差[5]；
旋轉靶采用“狗骨狀”設計（中間直徑小、兩端大），可使利用率從60%提升至80%[5]。
腔室環境協同
靶材表面吸附雜質（如水汽、油污）會導致濺射放電，需在使用前經Ar氣反濺射清潔；腔室漏氣會使膜層氧含量增加，如真空度從1×10??Pa降至1×10?3Pa時，ITO薄膜電阻率上升50%[5]。
五、濺射靶材產業發展挑戰與對策
（一）主要瓶頸問題
基礎研究薄弱
高純金屬提純技術落后，如5N以上超純鋁中反偏析元素（如Fe、Si）控制困難，導致靶材性能與國際差距20%[1]；粉末冶金燒結機理研究不足，難以精準調控晶粒生長。
認證壁壘高
下游客戶認證周期長達6個月至2年，且需通過嚴格的穩定性測試（如1000次冷熱循環）。我國企業因缺乏反饋數據，工藝優化周期比日美企業長3倍[1]。
成本與融資壓力
靶材生產設備投資大（如年產5.2萬個靶材項目需10億元，設備占比30%[1]），而行業毛利率僅20%-25%，低于國際巨頭的30%[1]；中小企業融資難，專利質押融資案例僅30項[1]。
（二）發展對策建議
構建創新生態體系
鼓勵龍頭企業牽頭成立創新聯合體，如江豐電子聯合中科院攻克高純鎢提純技術；
建設國家級靶材檢測平臺，統一純度、致密度等測試標準[1]。
完善市場激勵機制
推廣集成電路共保體模式，設立靶材應用風險補償基金，覆蓋下游企業使用國產靶材的損失[1]；
對認證通過的國產靶材給予采購補貼，降低終端用戶試用成本。
強化人才與產業鏈協同
培養復合型人才（材料+設備+工藝），引進國際專家（如日籍技術團隊）；
推動靶材與下游企業聯合研發，如京東方與阿石創共建IGZO靶材應用實驗室[1]。
六、總結
濺射靶材作為戰略新材料，其國產化對我國半導體、顯示面板等產業安全具有重要意義。目前我國已在中低端靶材領域實現突破，但高端市場仍受限于日美技術壟斷。通過政策引導、技術創新和產業鏈協同，我國靶材產業逐步形成“基礎研究-中試-產業化”的完整鏈條。
未來發展需聚焦三方面：一是突破高純原料提純和先進制備技術（如冷噴涂、兩步燒結），提升靶材致密度和均勻性；二是建立快速認證通道和風險補償機制，加速國產靶材市場準入；三是加強人才培養和國際合作，縮小與國際先進水平的差距。隨著技術迭代和成本優化，我國濺射靶材有望在“十四五”期間實現高端領域全面替代。
引用論文
[1]慕慧娟，丁明磊，彭思凡.《我國濺射靶材自主可控發展的經驗及啟示》.《科技中國》2023年第7期
[2]文崇斌，余芳，朱劉，等.《冷噴涂在濺射靶材制備中的應用》.《冶金與材料》2023年第43卷第11期
[3]付鈺斌，寧洪龍，鄒文昕，等.《氧化物靶材的制備及研究進展》.《材料研究與應用》2022年第16卷第3期
[4]王暉，夏明星，李延超，等.《難熔金屬濺射靶材的應用及制備技術》.《中國鎢業》2019年第34卷第1期
[5]胡冰，王爍.《靶材質量對大面積鍍膜生產的影響》.《建筑玻璃與工業玻璃》2015年第5期
相關鏈接
