我國礦產(chǎn)資源豐富，由于半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)封鎖以及缺乏對半導(dǎo)體濺射靶材關(guān)鍵性能的認知等因素，能夠符合半導(dǎo)體濺射靶材要求的高純度材料提純技術(shù)、深加工技術(shù)等發(fā)展相對緩慢，從而限制了我國半導(dǎo)體行業(yè)上游關(guān)鍵原材料的健康可持續(xù)發(fā)展。超高純鋁及合金是當(dāng)前半導(dǎo)體芯片行業(yè)應(yīng)用廣泛的原材料之一，通常將超高純鋁及其合金加工成濺射靶材，利用物理氣相沉積（PhysicalVaporDeposition，PVD）的技術(shù)（圖1），將超高純鋁及合金材料作為芯片內(nèi)的金屬互連線使用。芯片內(nèi)上萬甚至數(shù)億個晶體管通過金屬互連線共同保障其正常工作，金屬互連線承擔(dān)著電信號的傳輸，若金屬互連線中存在斷路或者短路的情況，會導(dǎo)致芯片的工作異常，所以金屬互連線的可靠性非常重要[1]。超高純鋁及鋁合金具有電阻率低、易沉積和刻蝕加工、成本相對低廉等特點，成為芯片內(nèi)金屬互連線的主要材料[2]。
鋁的純度可以用英文字母N（nine）表示，比如99.999%wt可以用5N表示，99.9995%wt則可以用5N5表示[3]。目前，不同的國家和地區(qū)對超高純鋁的定義是有差別的，在濺射靶材行業(yè)里一般把鋁含量在99.9995%wt以上的鋁叫超高純鋁，超高純鋁合金則是指鋁和合金元素總含量在99.9995%wt以上。
1、超高純鋁及合金在半導(dǎo)體靶材中的應(yīng)用
1.1濺射靶材及Si、Cu的作用
濺射靶材依據(jù)應(yīng)用行業(yè)的不同，可以分為半導(dǎo)體用濺射靶材、平板顯示器用濺射靶材、太陽能電池用濺射靶材、工具鍍膜用濺射靶材等，其中半導(dǎo)體用濺射靶材的性能要求最高。半導(dǎo)體芯片的制作過程可分為硅片制造、晶圓制造和芯片封裝三大環(huán)節(jié)，高純?yōu)R射靶材則主要用于“晶圓制造”和“芯片封裝”兩個環(huán)節(jié)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體用的濺射靶材應(yīng)用端有兩個發(fā)展特征，一是晶圓尺寸越來越大，從6英寸及以下發(fā)展到8英寸，再到目前主流的12英寸，甚至往18英寸發(fā)展，晶圓制造產(chǎn)線上用的濺射靶材尺寸也隨之變大[4]。二是芯片內(nèi)的線寬越來越小，從微米級發(fā)展到納米級，目前中國大陸線寬先端制程可以到14nm，國際上最先端的制程線寬已到7nm和3nm，線寬的不斷縮小導(dǎo)致對濺射靶材的材料性能要求越來越高。超高純鋁作為芯片內(nèi)金屬互連線使用，主要有以下優(yōu)點：1）和襯底材料有較好的附著性；2）容易加工、沉積和光刻；3）電阻率低；4）抗電化學(xué)腐蝕能力好。但是隨著集成電路線寬的不斷縮小，超高純鋁作為金屬互連線出現(xiàn)了一些問題，比如電遷移和應(yīng)力遷移[2,5-6]。
針對超高純鋁作為芯片金屬互連線時出現(xiàn)的上述問題，行業(yè)內(nèi)通常的做法是在超高純鋁中添加少量的Si和Cu來提高布線的抗應(yīng)力遷移能力和抑制電遷移現(xiàn)象[5]。超高純鋁合金中Si的含量一般在幾十ppm到1%wt不等，Cu的含量一般在0.5%wt到4%wt不等，有的是只添加Si或者Cu其中一種合金元素，也有的是兩種合金元素都添加，所以根據(jù)合金種類和合金含量的不同，超高純鋁合金靶材可以分成很多種規(guī)格，主要依據(jù)不同芯片加工廠的工藝制程需要進行定制化配比。同時也有一些特殊工藝要求，會添加其他合金元素，比如W、Ti等。微米級制程超高純鋁靶材以AlSiCu、AlSi、AlCu、Al成分為主，納米級制程的超高純鋁靶材以AlCu成分為主，AlCu合金靶材中又以0.5%wt應(yīng)用最廣泛。Cu合金元素的加入可以抑制電遷移現(xiàn)象，能夠提高電流傳輸能力，而且銅在鋁中的溶解度要大于其他大部分合金元素，超高純鋁銅濺射靶材中的第二相對濺射性能影響也比較小。
1.2靶材使用的性能特點
超高純鋁及合金靶材的不純物元素含量、氣體含量、晶粒、晶向、尺寸、表面狀態(tài)、顆粒夾雜、焊接方式等都會對濺射靶材的性能產(chǎn)生影響[6-9]。比如夾雜物過多時，濺射到晶圓上形成的微粒會導(dǎo)致金屬互連線的短路或斷路，濺射靶材中的不純物會影響金屬互連線的可靠性或使用壽命，氣體含量高或者靶材表面狀態(tài)不好在濺射過程中容易形成尖端放電損壞晶圓等。濺射靶材使用中出現(xiàn)以上異常，也會和濺射機臺的狀態(tài)、磁場環(huán)境、工藝參數(shù)等有關(guān)，需要具體分析。
通常來說，超高純鋁濺射靶材的晶粒越小越均勻，濺射速率越快、濺射薄膜均勻性越好。但是晶粒不是越小對芯片制造廠就越合適的，靶材晶粒的大小要匹配芯片制造廠的工藝、機臺，甚至?xí)霈F(xiàn)同一個芯片制造廠需要兩種不同晶粒規(guī)格的相同款式濺射靶材。濺射靶材的晶向、不純物含量、尺寸、焊接方式等和微觀晶粒一樣，不同的芯片制造商、不同的機臺、不同的制程要求是不一樣的。這種情況需要濺射靶材的制造商和芯片制造商需要緊密的技術(shù)配合和交流，特別是在新靶材的導(dǎo)入過程中，一般需要半年到兩年時間的驗證過程，半導(dǎo)體濺射靶材具有高度定制化的特點。超高純鋁及合金濺射靶材最終的表面狀態(tài)、晶粒、晶向、尺寸等是通過塑性變形、熱處理、機加工等過程控制實現(xiàn)的，但是超高純鋁及合金鑄錠原料對表面狀態(tài)、晶粒、晶向也起到間接的影響，超高純鋁及合金鑄錠原料中的不純物元素含量、氣體含量、顆粒夾雜等更是直接影響了濺射靶材的最終性能，由此可見質(zhì)量可靠的超高純鋁及合金鑄錠原料是非常關(guān)鍵的。
2、超高純鋁及合金材料的制備
鋁元素是地殼中含量最多的金屬元素，主要以化合物的形態(tài)存在，通過采礦、提取氧化鋁、電解氧化鋁得到單質(zhì)的鋁金屬，純度在2N-3N5，叫做電解鋁或者原鋁。我國近些年來電解鋁的產(chǎn)量一直占全球的一半以上，但是這個純度的鋁是無法滿足半導(dǎo)體濺射靶材要求的，需要通過進一步的提純使鋁的純度達到5N5以上才行，提純一般采用偏析法和三層液電解法或者相結(jié)合的工藝。
2.1三層液電解法制備高純鋁
用于三層液電解法制備超高純鋁的裝置如圖2所示，其中下層是作為陽極的AlCu合金，Cu的含量一般在30%wt-35%wt，在700℃-750℃時液態(tài)密度約3g/cm3，熔點約550℃。上層為高純鋁液，其密度為2.3g/cm3，上方的石墨作為陰極。中層為電解液，電解液主要是由AlF3、BaF2、BaCl2、NaF、CaF2、MgF2等成分組成，通過不同成分的配比以達到如下效果：密度介于下層AlCu合金液和上層高純鋁液之間（即2.3g/cm3-3g/cm3之間），電阻值小，工作時穩(wěn)定不易揮發(fā)，與設(shè)備材料接觸幾乎不反應(yīng)，化學(xué)活潑性比鋁要高的金屬鹽，熔點在670℃~740℃。由于三層存在密度差，從而保證在工作的過程中保持相對穩(wěn)定。在高溫和電場的作用，下層作為陽極的AlCu合金液中的Al電化學(xué)溶解會失去電子成為Al離子，通過電解液后在陰極還原為Al原子。Fe、Si、Cu等比Al更正電性的雜質(zhì)不發(fā)生電化學(xué)溶解，留在陽極的合金中，Na、Ca、Mg等比Al電性弱的雜質(zhì)雖然會和鋁一樣發(fā)生電化學(xué)溶解，但是進入中層的電解液后會保留在電解液中不會在陰極析出，從而在陰極得到高純度的鋁[10]。在此過程中，電解液的純度要求比較高，否則難以達到提純的目的，另外需要定時往下層的AlCu液中補充原鋁，使下層的合金液的濃度和密度穩(wěn)定在一定范圍，以防止Cu、Fe等元素進入電解層。
2.2偏析法制備高純鋁
偏析法是利用液態(tài)金屬鋁凝固的過程中，先凝固的部分雜質(zhì)濃度低于還未凝固的液態(tài)鋁，將先凝固的部分提取出來，這個過程可以反復(fù)進行，從而達到提純的目的。一般將CS代表一種雜質(zhì)元素在固體鋁中的濃度，而CL則代表在液態(tài)鋁中的濃度，其比值（CS/CL）叫做平衡分配系數(shù)K0，當(dāng)某種雜質(zhì)元素的K0小于1時是可以直接通過偏析去除的，當(dāng)K0大于1時則不能直接通過偏析去除，需要反向偏析提純或者添加輔助劑間接去除雜質(zhì)，鋁中絕大部分雜質(zhì)元素的K0是小于1的，所以偏析法是一種非常有效的提純方法，比如Si、Fe、P等元素提純率可以達到90%以上[10-13]。利用偏析法原理具體實施的工藝有很多種，目前能夠規(guī)模化批量生產(chǎn)的方法主要有兩種，一種是冷凝管法，另一種是分別結(jié)晶法。冷凝管法是向鋁液中插入一根可以旋轉(zhuǎn)的結(jié)晶器，結(jié)晶器內(nèi)通入空氣或者水等冷卻介質(zhì)，高純度的鋁液會在結(jié)晶器上凝固，雜質(zhì)元素留在了鋁液中，等凝固的部分長大到一定重量后提出來得到高純度的鋁（如圖3）。
分步結(jié)晶法則是向鋁液中放入冷卻用的結(jié)晶器，鋁液在結(jié)晶器上凝固生長，長大到一定程度后采用刮除法將長大部分從結(jié)晶器上刮除收集到容器的底部并用重物擠壓，然后反復(fù)進行得到高純鋁[10]（如圖4）。
2.3超高純鋁制備特點及現(xiàn)狀
國內(nèi)利用偏析法和三層液電解法的基本原理設(shè)計的提純裝備有很多專利，但不管是偏析法還是三層液電解法提純出的鋁錠，都是不能直接用來做超高純鋁濺射靶材的，需要進一步通過熔煉、除氣、鑄造等工藝將提純后的鋁錠鑄造成合格的鑄錠才能使用。和傳統(tǒng)鋁鑄造的去氣去夾雜、控制鑄錠內(nèi)部缺陷等要求相比，超高純鋁及鋁合金鑄錠的要求更為嚴(yán)格。超高純鋁及鋁合金鑄錠通常使用半連續(xù)鑄造的方式鑄造而成，所用的熔煉爐比較小，熔煉爐容量一般在0.5-2噸，比目前國內(nèi)鋁合金鑄造常用的10噸甚至20噸以上的爐子比起來小很多。超高純鋁及合金的熔煉爐容量小有其優(yōu)勢和特殊性，容量小有利于充分去氣和去夾雜，有利于控制合金和不純物成分，也能夠減少因鑄錠質(zhì)量問題帶來的損失。不同于平板顯示用的大尺寸方形截面高純鋁鑄錠，半導(dǎo)體超高純鋁鑄錠規(guī)格一般是直徑150mm-200mm的棒狀鑄錠，隨著半導(dǎo)體濺射靶材尺寸越來越大，為了匹配靶材加工的塑性變形要求，鑄錠的尺寸也有增大的需求趨勢。雖然濺射靶材的晶粒控制是通過塑性變形和熱處理實現(xiàn)的，但是鑄錠的原始晶粒對后續(xù)的靶材晶粒控制也有間接的影響，應(yīng)盡量減少羽狀晶、粗大柱狀晶粒等宏觀組織的出現(xiàn)，細化鑄錠的宏觀晶粒。半導(dǎo)體濺射靶材用的超高純鋁及合金除了主成分鋁和合金元素外，需要使用輝光放電質(zhì)譜儀在檢測40個以上不純物元素基礎(chǔ)上總量不超過10ppm甚至5ppm，另外對單個不純物元素含量也有要求，很多元素含量要求限制到ppb級，所以整個熔煉、除氣和鑄造過程所涉及的工具和設(shè)備都有特殊要求以減少不純物的引入。同一爐生產(chǎn)的超高純鋁及合金鑄錠一般可以加工50-200個半導(dǎo)體濺射靶材，每個靶材會參與幾千甚至上萬片晶圓的濺射過程，每個晶圓一般又能加工成幾百到幾千個芯片。半導(dǎo)體行業(yè)對品質(zhì)管控極為苛刻的要求，若材料性能不符合要求，其經(jīng)濟損失是非常大的，所以靶材廠對半導(dǎo)體用超高純鋁及合金鑄錠的質(zhì)量穩(wěn)定性要求是極高的。
目前全球半導(dǎo)體濺射靶材用超高純鋁及合金材料最大的生產(chǎn)商是歐洲的海德魯公司，日本的住友化學(xué)也有生產(chǎn)半導(dǎo)體濺射靶材用超高純鋁的能力。長期以來，國內(nèi)對半導(dǎo)體濺射靶材用超高純鋁的批量化生產(chǎn)應(yīng)用很少，近些年來總體純度要求、單個元素控制和材料性能穩(wěn)定性等基本滿足了光伏用靶材或者液晶面板用靶材的要求，但是距離半導(dǎo)體用濺射靶材的要求還有很大的差距。隨著國家對芯片產(chǎn)業(yè)鏈的重視，國內(nèi)企業(yè)和學(xué)界對超高純鋁材料的研發(fā)和應(yīng)用關(guān)注也逐漸多起來[14-18]。
3、超高純鋁及合金材料發(fā)展趨勢
中國半導(dǎo)體芯片進口金額已經(jīng)超過原油成為第一大進口商品，“華為和中興”被制裁的事件讓國內(nèi)進一步深刻認識到半導(dǎo)體芯片自主可控的重要性，《十四五規(guī)劃和2035遠景目標(biāo)綱要》中提到從國家急迫需要和長遠需求出發(fā)，集中優(yōu)勢資源在集成電路領(lǐng)域進行“集成電路設(shè)計工具、重點裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā)”攻關(guān)，高純金屬濺射靶材的國產(chǎn)化是近年來國家產(chǎn)業(yè)政策大力支持和鼓勵的方向。超高純鋁及合金作為制造半導(dǎo)體芯片用濺射靶材關(guān)鍵原材料，實現(xiàn)國產(chǎn)化是解決芯片行業(yè)上游供應(yīng)鏈自主可控的關(guān)鍵一環(huán)。
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體濺射靶材用超高純鋁及合金材料會越來越需要依據(jù)芯片廠的實際需求進行定制化研發(fā)生產(chǎn)。鑄錠尺寸逐漸大型化、鑄錠原始晶粒細小均勻化、內(nèi)部質(zhì)量要求更嚴(yán)格化、單個雜質(zhì)元素管控收緊化、合金元素多種類化、上下游產(chǎn)業(yè)鏈配合更緊密化的趨勢，對超高純鋁及合金的生產(chǎn)提出了更高的技術(shù)和品質(zhì)要求。
參考文獻：
[1]張文杰，易萬兵，吳瑾 . 鋁互連線的電遷移問題及超深亞微米技術(shù)下的挑戰(zhàn) [J]. 物理學(xué)報，2006,55(10):5424-5434.
[2]馬曉藝，陳江波，黃光杰 . 超高純鋁合金互連線及其濺射靶材 [J]. 輕合金加工技術(shù)，2011,39(7):56-60.
[3]王祝堂 . 高純鋁的性能（上）[J]. 輕金屬，2004(8):3-6.
[4]何金江，賀昕，熊曉東等 . 集成電路用高純金屬材料及高性能濺射靶材制備研究進展 [J]. 新材料產(chǎn)業(yè)，2015(9):47-52.
[5]吳麗君，夏慧，陸彪 . 集成電路電極布線用鋁合金薄膜及其濺射靶材 [J].真空科學(xué)與技術(shù)，2000,20(2):111-125.
[6]尚再艷，江軒，李勇軍等 . 集成電路制造用濺射靶材 [J]. 稀有金屬，2005,29(4):475-477.
[7]陳明，王永輝，楊宇輝等 . 高純鋁合金氣體與夾雜控制研究 [J]. 熱加工工藝，2014,43(4):46-50.
[8]李峰 . 高擇優(yōu)取向細晶高純鋁靶材的制備工藝研 [D]. 東南大學(xué)，2018.
[9]賈松青，江軒，何金江等 . 鋁硅焊片對異種合金電子束焊接焊縫組織性能的影響 [J]. 有色金屬（冶煉部分）.2011(7):30-34.
[10] 王祝堂 . 話說高純鋁（三）[J]. 金屬世界，2004(5):33-37.
[11] 段 夢 平，楊 斌，徐 寶 強 等 . 高 純 鋁 制 備 技 術(shù) 研 究 進 展 [J]. 礦 冶，2021,30(1):38-45.
[12] 張佼，何博，孫寶德等 . 定向凝固的進展對高純鋁偏析法提純工藝的影響 [J]. 鑄造技術(shù)，2003,24(4):269-271.
[13] 趙偉 . 偏析法制備高純鋁設(shè)備研發(fā)及其工藝探究 [D]. 昆明理工大學(xué) .2013.
[14] Heli Wan,Baoqiang Xu,Bin Yang,et al.The impurities distribution and purification efficiency of high-purity aluminum preparation by zone melting in vacuum[J].
Vacuum,2020,171:108839.
[15] Ruiquan Wang,Haijun Huang.Effect of Ultrasonic Radiation on the Grain Refinement of High Purity Aluminum[J].Materials Transactions,2020,61(3):444-448.
[16] 陳勝潔，姚力軍，王學(xué)澤等 . 輝光放電質(zhì)譜儀法測定超高純鋁中痕量雜質(zhì)元素 [J]. 分析試驗室，2018,37(9):1085-1089.
[17] 白永冰 . 利用水浸式超聲波探傷方法判定靶材用高純鋁內(nèi)部缺陷 [J]. 世界有色金屬，2018,6:10-12.
[18] 萬賀利 . 區(qū)域熔煉提純鋁過程中雜質(zhì)元素遷移行為研究 [D]. 昆明理工大學(xué)，2021.
相關(guān)鏈接
